| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | KXMW120R40T3 |
| Codice Parte EBEE | E820607109 |
| Confezione | TO-247-3L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.5562 | $ 5.5562 |
| 10+ | $4.8387 | $ 48.3870 |
| 30+ | $4.4131 | $ 132.3930 |
| 90+ | $3.9819 | $ 358.3710 |
| 510+ | $3.7837 | $ 1929.6870 |
| 990+ | $3.6938 | $ 3656.8620 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Power X KXMW120R40T3 | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 519W | |
| Corrente di scarico continuo | 68A | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| V (BR)DSS | 1200V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.5562 | $ 5.5562 |
| 10+ | $4.8387 | $ 48.3870 |
| 30+ | $4.4131 | $ 132.3930 |
| 90+ | $3.9819 | $ 358.3710 |
| 510+ | $3.7837 | $ 1929.6870 |
| 990+ | $3.6938 | $ 3656.8620 |
