| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | PAA12400BM3 |
| Codice Parte EBEE | E817638836 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| Descrizione | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2,281.7397 | $ 2281.7397 |
| 200+ | $910.4297 | $ 182085.9400 |
| 500+ | $880.0062 | $ 440003.1000 |
| 1000+ | $864.9739 | $ 864973.9000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| RoHS | ||
| Corrente di scarico continuo | 350A | |
| La configurazione | Half Bridge | |
| Tipo di canale | 2 N-Channel | |
| Tensione di sorgente di scarico | 1200V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2,281.7397 | $ 2281.7397 |
| 200+ | $910.4297 | $ 182085.9400 |
| 500+ | $880.0062 | $ 440003.1000 |
| 1000+ | $864.9739 | $ 864973.9000 |
