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PN Junction Semiconductor P3M07013K4


Produttore
Codice Parte Mfr.
P3M07013K4
Codice Parte EBEE
E85823479
Confezione
TO-247-4L
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
Descrizione
TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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In Magazzino : Si Prega di Richiedere

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Nome Contatto
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Nome Azienda
Paese
Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$98.0208$ 98.0208
200+$39.1108$ 7822.1600
500+$37.8038$ 18901.9000
1000+$37.1591$ 37159.1000
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET)
Scheda TecnicaPN Junction Semiconductor P3M07013K4
RoHS
La dissipazione di potenza428W
Corrente di scarico continuo140A
Tipo di canale1 N-Channel
Tensione di sorgente di scarico750V

Guida all’acquisto

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