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PN Junction Semiconductor P3M06300D8
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | P3M06300D8 |
| Codice Parte EBEE | E85840346 |
| Confezione | DFN8080-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| Descrizione | DFN8080-8 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.1880 | $ 13.1880 |
| 200+ | $5.2626 | $ 1052.5200 |
| 500+ | $5.0867 | $ 2543.3500 |
| 1000+ | $4.9995 | $ 4999.5000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | PN Junction Semiconductor P3M06300D8 | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 32W | |
| Corrente di scarico continuo | 9A | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| Tensione di sorgente di scarico | 650V |
Guida all’acquisto
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| 1000+ | $4.9995 | $ 4999.5000 |
