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PN Junction Semiconductor P3M06300D5
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | P3M06300D5 |
| Codice Parte EBEE | E85823477 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| Descrizione | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $11.3688 | $ 11.3688 |
| 200+ | $4.5361 | $ 907.2200 |
| 500+ | $4.3844 | $ 2192.2000 |
| 1000+ | $4.3095 | $ 4309.5000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | PN Junction Semiconductor P3M06300D5 | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 26W | |
| Corrente di scarico continuo | 9A | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| Tensione di sorgente di scarico | 650V |
Guida all’acquisto
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| 1000+ | $4.3095 | $ 4309.5000 |
