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onsemi NVH4L060N090SC1


Produttore
Codice Parte Mfr.
NVH4L060N090SC1
Codice Parte EBEE
E82902307
Confezione
TO-247-4L
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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Nome Contatto
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Nome Azienda
Paese
Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$18.5673$ 18.5673
10+$16.9812$ 169.8120
30+$15.5226$ 465.6780
90+$14.2498$ 1282.4820
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaSilicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
Scheda Tecnicaonsemi NVH4L060N090SC1
RoHS
TypeN-Channel
Pd - Power Dissipation221W
Drain to Source Voltage900V
Current - Continuous Drain(Id)46A

Guida all’acquisto

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