| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NVH4L060N090SC1 |
| Codice Parte EBEE | E82902307 |
| Confezione | TO-247-4L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $18.5673 | $ 18.5673 |
| 10+ | $16.9812 | $ 169.8120 |
| 30+ | $15.5226 | $ 465.6780 |
| 90+ | $14.2498 | $ 1282.4820 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | onsemi NVH4L060N090SC1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 221W | |
| Drain to Source Voltage | 900V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 46A |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $18.5673 | $ 18.5673 |
| 10+ | $16.9812 | $ 169.8120 |
| 30+ | $15.5226 | $ 465.6780 |
| 90+ | $14.2498 | $ 1282.4820 |
