Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
onsemi NVBG070N120M3S
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NVBG070N120M3S |
| Codice Parte EBEE | E820539231 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | D2PAK Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $17.4165 | $ 17.4165 |
| 5+ | $12.9187 | $ 64.5935 |
| 30+ | $11.9860 | $ 359.5800 |
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | onsemi NVBG070N120M3S | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 87mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 172W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.23nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 57pF | |
| Gate Charge(Qg) | 57nC |
Guida all’acquisto
Espandi
In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $17.4165 | $ 17.4165 |
| 5+ | $12.9187 | $ 64.5935 |
| 30+ | $11.9860 | $ 359.5800 |
