| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NVBG015N065SC1 |
| Codice Parte EBEE | E83277661 |
| Confezione | D2PAK-7 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | D2PAK-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $32.3682 | $ 32.3682 |
| 30+ | $29.1965 | $ 875.8950 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | onsemi NVBG015N065SC1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 500W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 145A |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $32.3682 | $ 32.3682 |
| 30+ | $29.1965 | $ 875.8950 |
