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onsemi NTH4L040N120M3S
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NTH4L040N120M3S |
| Codice Parte EBEE | E819673849 |
| Confezione | TO-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 10+ | $6.9367 | $ 69.3670 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | onsemi NTH4L040N120M3S | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 54mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 7pF | |
| Pd - Power Dissipation | 231W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 54A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.7nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | 75nC |
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