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onsemi NTH4L022N120M3S
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NTH4L022N120M3S |
| Codice Parte EBEE | E83281105 |
| Confezione | TO-247-4L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $18.7378 | $ 18.7378 |
| 10+ | $16.7152 | $ 167.1520 |
| 30+ | $15.2975 | $ 458.9250 |
| 90+ | $14.0614 | $ 1265.5260 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | onsemi NTH4L022N120M3S | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 352W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 68A |
Guida all’acquisto
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| 90+ | $14.0614 | $ 1265.5260 |
