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onsemi NTBG1000N170M1
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NTBG1000N170M1 |
| Codice Parte EBEE | E822415750 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | D2PAK Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.1428 | $ 5.1428 |
| 10+ | $4.4017 | $ 44.0170 |
| 30+ | $3.9608 | $ 118.8240 |
| 100+ | $3.5152 | $ 351.5200 |
| 500+ | $3.3094 | $ 1654.7000 |
| 800+ | $3.2181 | $ 2574.4800 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | onsemi NTBG1000N170M1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 1.43Ω | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.6pF | |
| Pd - Power Dissipation | 51W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 150pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 11pF | |
| Gate Charge(Qg) | 14nC |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $5.1428 | $ 5.1428 |
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| 30+ | $3.9608 | $ 118.8240 |
| 100+ | $3.5152 | $ 351.5200 |
| 500+ | $3.3094 | $ 1654.7000 |
| 800+ | $3.2181 | $ 2574.4800 |
