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onsemi NTBG022N120M3S
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NTBG022N120M3S |
| Codice Parte EBEE | E85209031 |
| Confezione | D2PAK7(TO-263-7L-HV) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | ECL99 |
| Descrizione | D2PAK7(TO-263-7L-HV) Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 10+ | $12.6568 | $ 126.5680 |
| 30+ | $10.9999 | $ 329.9970 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | onsemi NTBG022N120M3S | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 30mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 14pF | |
| Pd - Power Dissipation | 234W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 58A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.2nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 148pF | |
| Gate Charge(Qg) | 148nC |
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