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Microchip Tech MSCSM120VR1M31C1AG


Produttore
Codice Parte Mfr.
MSCSM120VR1M31C1AG
Codice Parte EBEE
E817531972
Confezione
-
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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In Magazzino : Si Prega di Richiedere

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Nome Contatto
Email Aziendale
Nome Azienda
Paese
Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$491.7916$ 491.7916
200+$196.2290$ 39245.8000
500+$189.6708$ 94835.4000
1000+$186.4309$ 186430.9000
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET)
Scheda TecnicaMicrochip Tech MSCSM120VR1M31C1AG
RoHS
La dissipazione di potenza395W
Corrente di scarico continuo89A
Tipo di canale2 N-Channel
Tensione di sorgente di scarico1200V

Guida all’acquisto

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