| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | MSCSM120VR1M11CT6AG |
| Codice Parte EBEE | E817630977 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,733.6665 | $ 1733.6665 |
| 200+ | $691.7447 | $ 138348.9400 |
| 500+ | $668.6300 | $ 334315.0000 |
| 1000+ | $657.2068 | $ 657206.8000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Microchip Tech MSCSM120VR1M11CT6AG | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 1.042kW | |
| Corrente di scarico continuo | 251A | |
| Tipo di canale | 2 N-Channel | |
| Tensione di sorgente di scarico | 1200V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,733.6665 | $ 1733.6665 |
| 200+ | $691.7447 | $ 138348.9400 |
| 500+ | $668.6300 | $ 334315.0000 |
| 1000+ | $657.2068 | $ 657206.8000 |
