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Microchip Tech MSCSM120DDUM31TBL2NG


Produttore
Codice Parte Mfr.
MSCSM120DDUM31TBL2NG
Codice Parte EBEE
E817439276
Confezione
-
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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In Magazzino : Si Prega di Richiedere

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Nome Contatto
Email Aziendale
Nome Azienda
Paese
Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$750.3882$ 750.3882
200+$299.4106$ 59882.1200
500+$289.4052$ 144702.6000
1000+$284.4617$ 284461.7000
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET)
Scheda TecnicaMicrochip Tech MSCSM120DDUM31TBL2NG
RoHS
La dissipazione di potenza310W
Corrente di scarico continuo79A
La configurazioneCommon Source
Tipo di canale4 N-channel
Tensione di sorgente di scarico1200V

Guida all’acquisto

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