| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | MSCSM120DDUM31TBL2NG |
| Codice Parte EBEE | E817439276 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $750.3882 | $ 750.3882 |
| 200+ | $299.4106 | $ 59882.1200 |
| 500+ | $289.4052 | $ 144702.6000 |
| 1000+ | $284.4617 | $ 284461.7000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Microchip Tech MSCSM120DDUM31TBL2NG | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 310W | |
| Corrente di scarico continuo | 79A | |
| La configurazione | Common Source | |
| Tipo di canale | 4 N-channel | |
| Tensione di sorgente di scarico | 1200V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $750.3882 | $ 750.3882 |
| 200+ | $299.4106 | $ 59882.1200 |
| 500+ | $289.4052 | $ 144702.6000 |
| 1000+ | $284.4617 | $ 284461.7000 |
