| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | MSCSM120DDUM31CTBL2NG |
| Codice Parte EBEE | E817368767 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $901.5009 | $ 901.5009 |
| 200+ | $359.7054 | $ 71941.0800 |
| 500+ | $347.6848 | $ 173842.4000 |
| 1000+ | $341.7468 | $ 341746.8000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 310W | |
| Corrente di scarico continuo | 79A | |
| La configurazione | Common Source | |
| Tipo di canale | 4 N-channel | |
| Tensione di sorgente di scarico | 1200V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $901.5009 | $ 901.5009 |
| 200+ | $359.7054 | $ 71941.0800 |
| 500+ | $347.6848 | $ 173842.4000 |
| 1000+ | $341.7468 | $ 341746.8000 |
