| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | MSCSM120AM042D3AG |
| Codice Parte EBEE | E817316946 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2,545.8127 | $ 2545.8127 |
| 200+ | $1,015.7973 | $ 203159.4600 |
| 500+ | $981.8534 | $ 490926.7000 |
| 1000+ | $965.0810 | $ 965081.0000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Microchip Tech MSCSM120AM042D3AG | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 2.031kW | |
| Corrente di scarico continuo | 495A | |
| Tipo di canale | 2 N-Channel | |
| Tensione di sorgente di scarico | 1200V |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2,545.8127 | $ 2545.8127 |
| 200+ | $1,015.7973 | $ 203159.4600 |
| 500+ | $981.8534 | $ 490926.7000 |
| 1000+ | $965.0810 | $ 965081.0000 |
