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Microchip Tech MSC080SMA120B
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | MSC080SMA120B |
| Codice Parte EBEE | E85127757 |
| Confezione | TO-247 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $27.4642 | $ 27.4642 |
| 10+ | $25.8708 | $ 258.7080 |
| 30+ | $24.2869 | $ 728.6070 |
| 90+ | $22.9050 | $ 2061.4500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Microchip Tech MSC080SMA120B | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 100mΩ | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 6.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 231W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 91pF | |
| Gate Charge(Qg) | 72nC |
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