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MDD(Microdiode Semiconductor) MDDG1C120R080K3
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | MDDG1C120R080K3 |
| Codice Parte EBEE | E822370504 |
| Confezione | TO-247-3L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | None |
| Descrizione | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $17.1546 | $ 17.1546 |
| 200+ | $6.8447 | $ 1368.9400 |
| 450+ | $6.6162 | $ 2977.2900 |
| 900+ | $6.5045 | $ 5854.0500 |
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Specifiche
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | MDD(Microdiode Semiconductor) MDDG1C120R080K3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | - | |
| La dissipazione di potenza | - | |
| Carica totale del cancello | - | |
| Corrente di scarico continuo | 36A | |
| Reverse Transfer Capacitance | - | |
| La capacità di ingresso | - | |
| La configurazione | - | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| Resistenza al sisso-sorzio di scarico (15V) | - | |
| Resistenza al sisso-sorzia di scarico (18V) | - | |
| Resistenza al Saggio-Source On-State(20V) | - | |
| Tipo incapsulato | - | |
| Resistenza allo stato di drenaggio (10V) | - | |
| Tensione di sorgente di scarico | 1200V | |
| Tensione della soglia di sorgente di drenaggio | - |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $17.1546 | $ 17.1546 |
| 200+ | $6.8447 | $ 1368.9400 |
| 450+ | $6.6162 | $ 2977.2900 |
| 900+ | $6.5045 | $ 5854.0500 |
