Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti

Littelfuse LSIC1MO120G0160


Produttore
Codice Parte Mfr.
LSIC1MO120G0160
Codice Parte EBEE
E83281107
Confezione
TO-247-4L
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>

In Magazzino : Si Prega di Richiedere

Invia RFQ, risponderemo immediatamente.

Nome Contatto
Email Aziendale
Nome Azienda
Paese
Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$7.8856$ 7.8856
200+$3.0521$ 610.4200
500+$2.9438$ 1471.9000
1000+$2.8924$ 2892.4000
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaSilicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
Scheda TecnicaLittelfuse LSIC1MO120G0160
RoHS
Power Dissipation125W
Continuous Drain Current22A
Channel Type1 N-Channel
Drain Source Voltage1200V

Guida all’acquisto

Espandi