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Littelfuse LSIC1MO120G0120


Produttore
Codice Parte Mfr.
LSIC1MO120G0120
Codice Parte EBEE
E83281112
Confezione
TO-247-4L
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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Nome Contatto
Email Aziendale
Nome Azienda
Paese
Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$9.8659$ 9.8659
200+$3.8186$ 763.7200
500+$3.6838$ 1841.9000
1000+$3.6181$ 3618.1000
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaSilicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
Scheda TecnicaLittelfuse LSIC1MO120G0120
RoHS
Power Dissipation156W
Continuous Drain Current27A
Channel Type1 N-Channel
Drain Source Voltage1200V

Guida all’acquisto

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