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Littelfuse LSIC1MO120G0080


Produttore
Codice Parte Mfr.
LSIC1MO120G0080
Codice Parte EBEE
E83290754
Confezione
TO-247-4L
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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Nome Contatto
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Nome Azienda
Paese
Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$13.6542$ 13.6542
200+$5.2843$ 1056.8600
500+$5.0998$ 2549.9000
1000+$5.0074$ 5007.4000
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaSilicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
Scheda TecnicaLittelfuse LSIC1MO120G0080
RoHS
Power Dissipation214W
Continuous Drain Current39A
Channel Type1 N-Channel
Drain Source Voltage1200V

Guida all’acquisto

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