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Littelfuse LSIC1MO120G0025


Produttore
Codice Parte Mfr.
LSIC1MO120G0025
Codice Parte EBEE
E83290757
Confezione
TO-247-4L
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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Nome Contatto
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Nome Azienda
Paese
Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$45.4181$ 45.4181
200+$17.5757$ 3515.1400
500+$16.9581$ 8479.0500
1000+$16.6529$ 16652.9000
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaSilicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
Scheda TecnicaLittelfuse LSIC1MO120G0025
RoHS
Power Dissipation500W
Continuous Drain Current100A
Channel Type1 N-Channel
Drain Source Voltage1200V

Guida all’acquisto

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