| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | LSIC1MO120G0025 |
| Codice Parte EBEE | E83290757 |
| Confezione | TO-247-4L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $45.4181 | $ 45.4181 |
| 200+ | $17.5757 | $ 3515.1400 |
| 500+ | $16.9581 | $ 8479.0500 |
| 1000+ | $16.6529 | $ 16652.9000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Littelfuse LSIC1MO120G0025 | |
| RoHS | ||
| Power Dissipation | 500W | |
| Continuous Drain Current | 100A | |
| Channel Type | 1 N-Channel | |
| Drain Source Voltage | 1200V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $45.4181 | $ 45.4181 |
| 200+ | $17.5757 | $ 3515.1400 |
| 500+ | $16.9581 | $ 8479.0500 |
| 1000+ | $16.6529 | $ 16652.9000 |
