| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | LSIC1MO120E0160 |
| Codice Parte EBEE | E83281147 |
| Confezione | TO-247AD |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247AD Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $10.0433 | $ 10.0433 |
| 200+ | $3.8878 | $ 777.5600 |
| 500+ | $3.7512 | $ 1875.6000 |
| 1000+ | $3.6838 | $ 3683.8000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Littelfuse LSIC1MO120E0160 | |
| RoHS | ||
| Power Dissipation | 125W | |
| Continuous Drain Current | 22A | |
| Channel Type | 1 N-Channel | |
| Drain Source Voltage | 1200V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $10.0433 | $ 10.0433 |
| 200+ | $3.8878 | $ 777.5600 |
| 500+ | $3.7512 | $ 1875.6000 |
| 1000+ | $3.6838 | $ 3683.8000 |
