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LGE LGE3M80120Q
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | LGE3M80120Q |
| Codice Parte EBEE | E828148575 |
| Confezione | TO-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $17.7271 | $ 17.7271 |
| 200+ | $7.0749 | $ 1414.9800 |
| 500+ | $6.8378 | $ 3418.9000 |
| 1000+ | $6.7201 | $ 6720.1000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| RoHS |
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