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LGE LGE3M70120J
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | LGE3M70120J |
| Codice Parte EBEE | E842372310 |
| Confezione | TO-263-7 |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $19.9430 | $ 19.9430 |
| 200+ | $7.9585 | $ 1591.7000 |
| 500+ | $7.6922 | $ 3846.1000 |
| 1000+ | $7.5601 | $ 7560.1000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| RoHS |
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