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LGE LGE3M650170B
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | LGE3M650170B |
| Codice Parte EBEE | E842372481 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.9715 | $ 9.9715 |
| 210+ | $3.9792 | $ 835.6320 |
| 510+ | $3.8471 | $ 1962.0210 |
| 990+ | $3.7801 | $ 3742.2990 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| RoHS |
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