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LGE LGE3M35120Q
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | LGE3M35120Q |
| Codice Parte EBEE | E827035429 |
| Confezione | TO-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $28.8066 | $ 28.8066 |
| 200+ | $11.4940 | $ 2298.8000 |
| 500+ | $11.1103 | $ 5555.1500 |
| 1000+ | $10.9202 | $ 10920.2000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| RoHS |
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