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LGE LGE3M18120Q
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | LGE3M18120Q |
| Codice Parte EBEE | E828451336 |
| Confezione | TO-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $60.9369 | $ 60.9369 |
| 200+ | $24.3150 | $ 4863.0000 |
| 500+ | $23.5022 | $ 11751.1000 |
| 1000+ | $23.1003 | $ 23100.3000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| RoHS |
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| 1000+ | $23.1003 | $ 23100.3000 |
