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LGE LGE3M14120Q
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | LGE3M14120Q |
| Codice Parte EBEE | E828148572 |
| Confezione | TO-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $99.7148 | $ 99.7148 |
| 200+ | $39.7882 | $ 7957.6400 |
| 500+ | $38.4576 | $ 19228.8000 |
| 1000+ | $37.8004 | $ 37800.4000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| RoHS |
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