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KNSCHA KN3M80120K
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | KN3M80120K |
| Codice Parte EBEE | E85373190 |
| Confezione | TO-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 1+ | $6.0152 | $ 6.0152 |
| 10+ | $5.2035 | $ 52.0350 |
| 30+ | $4.7102 | $ 141.3060 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | KNSCHA KN3M80120K | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 85mΩ | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 3.9pF | |
| Pd - Power Dissipation | 214W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 38A | |
| Ciss-Input Capacitance | 920pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 57pF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC |
Guida all’acquisto
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