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KNSCHA KN3M65017D


Produttore
Codice Parte Mfr.
KN3M65017D
Codice Parte EBEE
E87432998
Confezione
TO-247-3
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
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1+$3.0023$ 3.0023
10+$2.5573$ 25.5730
30+$2.2782$ 68.3460
120+$1.9930$ 239.1600
480+$1.8648$ 895.1040
1020+$1.8090$ 1845.1800
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TipoDescrizione
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CategoriaDispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET)
Scheda TecnicaKNSCHA KN3M65017D
RoHS
Tipo di tipoN-Channel
La configurazione-
RDS (on)650mΩ@20V
Temperatura di funzionamento --55℃~+150℃
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)1.8pF
Pd - Power Dissipation62W
Drain to Source Voltage1.7kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.6V
Current - Continuous Drain(Id)7A
Ciss-Input Capacitance194pF
Gate Charge(Qg)23nC

Guida all’acquisto

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