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InventChip IV1Q12160D7Z
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IV1Q12160D7Z |
| Codice Parte EBEE | E85806850 |
| Confezione | TO-263-7 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $10.1522 | $ 10.1522 |
| 10+ | $8.7403 | $ 87.4030 |
| 30+ | $7.7583 | $ 232.7490 |
| 100+ | $7.0363 | $ 703.6300 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | InventChip IV1Q12160D7Z | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
Guida all’acquisto
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| 30+ | $7.7583 | $ 232.7490 |
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