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InventChip IV1Q12080T4Z
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IV1Q12080T4Z |
| Codice Parte EBEE | E85806849 |
| Confezione | TO-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $10.4311 | $ 10.4311 |
| 10+ | $8.9330 | $ 89.3300 |
| 30+ | $8.0927 | $ 242.7810 |
| 90+ | $7.3881 | $ 664.9290 |
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Specifiche
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | InventChip IV1Q12080T4Z | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| La configurazione | - | |
| RDS (on) | 80mΩ@20V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 6.7pF | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 42A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.68nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 69pF | |
| Gate Charge(Qg) | 76nC |
Guida all’acquisto
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
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| 1+ | $10.4311 | $ 10.4311 |
| 10+ | $8.9330 | $ 89.3300 |
| 30+ | $8.0927 | $ 242.7810 |
| 90+ | $7.3881 | $ 664.9290 |
