| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IV1Q12050T4Z |
| Codice Parte EBEE | E85806846 |
| Confezione | TO-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $17.0009 | $ 17.0009 |
| 10+ | $15.6951 | $ 156.9510 |
| 30+ | $14.3907 | $ 431.7210 |
| 90+ | $13.2535 | $ 1192.8150 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | InventChip IV1Q12050T4Z | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $17.0009 | $ 17.0009 |
| 10+ | $15.6951 | $ 156.9510 |
| 30+ | $14.3907 | $ 431.7210 |
| 90+ | $13.2535 | $ 1192.8150 |
