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InventChip IV1Q12050T3
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IV1Q12050T3 |
| Codice Parte EBEE | E82924637 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $17.0795 | $ 17.0795 |
| 10+ | $14.5823 | $ 145.8230 |
| 30+ | $13.3098 | $ 399.2940 |
| 90+ | $12.2008 | $ 1098.0720 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | InventChip IV1Q12050T3 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 327W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 58A |
Guida all’acquisto
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| 30+ | $13.3098 | $ 399.2940 |
| 90+ | $12.2008 | $ 1098.0720 |
