Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
InventChip IV1Q12030T4G
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IV1Q12030T4G |
| Codice Parte EBEE | E85806845 |
| Confezione | TO-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $20.2768 | $ 20.2768 |
| 5+ | $19.4110 | $ 97.0550 |
| 30+ | $18.3739 | $ 551.2170 |
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | InventChip IV1Q12030T4G | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
Guida all’acquisto
Espandi
In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $20.2768 | $ 20.2768 |
| 5+ | $19.4110 | $ 97.0550 |
| 30+ | $18.3739 | $ 551.2170 |
