| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IV1Q07015T4G |
| Codice Parte EBEE | E85806844 |
| Confezione | TO-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $31.1571 | $ 31.1571 |
| 3+ | $30.6437 | $ 91.9311 |
| 30+ | $29.1033 | $ 873.0990 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | InventChip IV1Q07015T4G | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 750V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $31.1571 | $ 31.1571 |
| 3+ | $30.6437 | $ 91.9311 |
| 30+ | $29.1033 | $ 873.0990 |
