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InventChip IV1Q06060T3G
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IV1Q06060T3G |
| Codice Parte EBEE | E85806838 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $11.9598 | $ 11.9598 |
| 10+ | $10.2769 | $ 102.7690 |
| 30+ | $8.8867 | $ 266.6010 |
| 90+ | $8.0254 | $ 722.2860 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | InventChip IV1Q06060T3G | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 650V |
Guida all’acquisto
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