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InventChip IV1Q06040T3
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IV1Q06040T3 |
| Codice Parte EBEE | E82979248 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $12.8861 | $ 12.8861 |
| 10+ | $10.5696 | $ 105.6960 |
| 30+ | $9.6608 | $ 289.8240 |
| 90+ | $8.8682 | $ 798.1380 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | InventChip IV1Q06040T3 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| La configurazione | - | |
| RDS (on) | 40mΩ@20V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 10.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 348W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 72A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.692nF | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 110.8nC |
Guida all’acquisto
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