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InventChip IV1B12013HA1L
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IV1B12013HA1L |
| Codice Parte EBEE | E85806854 |
| Confezione | Through Hole,62.8x33.8mm |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $151.0078 | $ 151.0078 |
| 30+ | $145.5011 | $ 4365.0330 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | InventChip IV1B12013HA1L | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
Guida all’acquisto
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| 30+ | $145.5011 | $ 4365.0330 |
