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Infineon Technologies IMZA65R048M1H
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IMZA65R048M1H |
| Codice Parte EBEE | E8536298 |
| Confezione | TO-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.5837 | $ 7.5837 |
| 10+ | $6.5100 | $ 65.1000 |
| 30+ | $5.7056 | $ 171.1680 |
| 90+ | $5.1577 | $ 464.1930 |
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Specifiche
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Infineon Technologies IMZA65R048M1H | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| La configurazione | - | |
| RDS (on) | 48mΩ@18V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | - | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.118nF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC |
Guida all’acquisto
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| 30+ | $5.7056 | $ 171.1680 |
| 90+ | $5.1577 | $ 464.1930 |
