Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
Infineon Technologies IMZA65R027M1H
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IMZA65R027M1H |
| Codice Parte EBEE | E8536297 |
| Confezione | TO-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>218 In Magazzino per Consegna Rapida
218 disponibile per consegna immediataPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.0515 | $ 9.0515 |
| 10+ | $7.8448 | $ 78.4480 |
| 30+ | $7.1097 | $ 213.2910 |
| 90+ | $6.4921 | $ 584.2890 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Infineon Technologies IMZA65R027M1H | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 34mΩ | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 22pF | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 59A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.131nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 317pF | |
| Gate Charge(Qg) | 63nC |
Guida all’acquisto
Espandi
218 Stock for Shipping Fast
218 available for immediate shippingPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.0515 | $ 9.0515 |
| 10+ | $7.8448 | $ 78.4480 |
| 30+ | $7.1097 | $ 213.2910 |
| 90+ | $6.4921 | $ 584.2890 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
