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Infineon Technologies IMW120R350M1HXKSA1
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IMW120R350M1HXKSA1 |
| Codice Parte EBEE | E82997926 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Infineon Technologies IMW120R350M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 350mΩ | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 182pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 10pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.3nC |
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