| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IMW120R030M1H |
| Codice Parte EBEE | E8536280 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $15.4997 | $ 15.4997 |
| 10+ | $14.2672 | $ 142.6720 |
| 30+ | $13.2297 | $ 396.8910 |
| 90+ | $12.3255 | $ 1109.2950 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Infineon Technologies IMW120R030M1H | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃ | |
| La dissipazione di potenza | 227W | |
| Carica totale del cancello | 63nC | |
| Corrente di scarico continuo | 56A | |
| Reverse Transfer Capacitance | 13pF | |
| La capacità di ingresso | 2120pF | |
| La configurazione | - | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| Resistenza al sisso-sorzio di scarico (15V) | 42mΩ | |
| Resistenza al sisso-sorzia di scarico (18V) | 30mΩ | |
| Resistenza al Saggio-Source On-State(20V) | - | |
| Vgs (ss) | 4.5V | |
| Tipo incapsulato | Single Tube | |
| V (BR)DSS | 1200V | |
| Resistenza allo stato di drenaggio (10V) | - |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $15.4997 | $ 15.4997 |
| 10+ | $14.2672 | $ 142.6720 |
| 30+ | $13.2297 | $ 396.8910 |
| 90+ | $12.3255 | $ 1109.2950 |
