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Infineon Technologies IMW120R030M1H


Produttore
Codice Parte Mfr.
IMW120R030M1H
Codice Parte EBEE
E8536280
Confezione
TO-247-3
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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In Magazzino: 191
Minimo: 1Multipli: 1
Prezzo Unitario
$ 15.4997
Prezzo Tot.
$ 15.4997
Può essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$15.4997$ 15.4997
10+$14.2672$ 142.6720
30+$13.2297$ 396.8910
90+$12.3255$ 1109.2950
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$
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET)
Scheda TecnicaInfineon Technologies IMW120R030M1H
RoHS
Temperatura di funzionamento-55℃~+175℃
La dissipazione di potenza227W
Carica totale del cancello63nC
Corrente di scarico continuo56A
Reverse Transfer Capacitance13pF
La capacità di ingresso2120pF
La configurazione-
Tipo di canale1 N-Channel
Resistenza al sisso-sorzio di scarico (15V)42mΩ
Resistenza al sisso-sorzia di scarico (18V)30mΩ
Resistenza al Saggio-Source On-State(20V)-
Vgs (ss)4.5V
Tipo incapsulatoSingle Tube
V (BR)DSS1200V
Resistenza allo stato di drenaggio (10V)-

Guida all’acquisto

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