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Infineon Technologies IMBG65R048M1HXTMA1
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IMBG65R048M1HXTMA1 |
| Codice Parte EBEE | E83276336 |
| Confezione | TO-263-7 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.0196 | $ 7.0196 |
| 10+ | $6.8368 | $ 68.3680 |
| 30+ | $6.7155 | $ 201.4650 |
| 100+ | $6.5942 | $ 659.4200 |
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Specifiche
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Infineon Technologies IMBG65R048M1HXTMA1 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 64mΩ | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 183W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.118nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 168pF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC |
Guida all’acquisto
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| 10+ | $6.8368 | $ 68.3680 |
| 30+ | $6.7155 | $ 201.4650 |
| 100+ | $6.5942 | $ 659.4200 |
