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Infineon Technologies AIMW120R060M1HXKSA1
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | AIMW120R060M1HXKSA1 |
| Codice Parte EBEE | E83278942 |
| Confezione | TO-247-3-41 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-3-41 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $21.8201 | $ 21.8201 |
| 10+ | $20.8394 | $ 208.3940 |
| 30+ | $19.1410 | $ 574.2300 |
| 100+ | $17.6584 | $ 1765.8400 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Infineon Technologies AIMW120R060M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A |
Guida all’acquisto
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| 30+ | $19.1410 | $ 574.2300 |
| 100+ | $17.6584 | $ 1765.8400 |
