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HXY MOSFET HC3M00160120D
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | HC3M00160120D |
| Codice Parte EBEE | E822449549 |
| Confezione | TO-247 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | HXY MOSFET HC3M00160120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 160mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A |
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