22% off
Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
HXY MOSFET HC2M0080120K
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | HC2M0080120K |
| Codice Parte EBEE | E819723862 |
| Confezione | TO-247-4L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>60 In Magazzino per Consegna Rapida
60 disponibile per consegna immediataPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8081 | $ 3.8081 |
| 10+ | $3.2555 | $ 32.5550 |
| 30+ | $2.9280 | $ 87.8400 |
| 90+ | $2.5957 | $ 233.6130 |
| 510+ | $2.4425 | $ 1245.6750 |
| 990+ | $2.3730 | $ 2349.2700 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | HXY MOSFET HC2M0080120K | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 98mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 11pF | |
| Pd - Power Dissipation | 192W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.475nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 94pF | |
| Gate Charge(Qg) | 79nC |
Guida all’acquisto
Espandi
60 Stock for Shipping Fast
60 available for immediate shippingPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8081 | $ 3.8081 |
| 10+ | $3.2555 | $ 32.5550 |
| 30+ | $2.9280 | $ 87.8400 |
| 90+ | $2.5957 | $ 233.6130 |
| 510+ | $2.4425 | $ 1245.6750 |
| 990+ | $2.3730 | $ 2349.2700 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
