12% off
Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
HXY MOSFET HC1M60120D
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | HC1M60120D |
| Codice Parte EBEE | E841428810 |
| Confezione | TO-247 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>4 In Magazzino per Consegna Rapida
4 disponibile per consegna immediataPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $6.6698 | $ 6.6698 |
| 10+ | $5.7548 | $ 57.5480 |
| 30+ | $5.1968 | $ 155.9040 |
| 90+ | $4.7284 | $ 425.5560 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | HXY MOSFET HC1M60120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | - | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4.1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 214W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 940pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 59pF | |
| Gate Charge(Qg) | 42nC |
Guida all’acquisto
Espandi
4 Stock for Shipping Fast
4 available for immediate shippingPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $6.6698 | $ 6.6698 |
| 10+ | $5.7548 | $ 57.5480 |
| 30+ | $5.1968 | $ 155.9040 |
| 90+ | $4.7284 | $ 425.5560 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
